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英飞凌科技（Infineon Technologies）是全球领先的半导体解决方案供应商。

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美格纳拥有足以引领业界发展的模拟与数模混合半导体技术。结合包含模拟与数模混合半导体相关各种专利的大量专利和出色的工程技术，为国际市场上流通的各种电子产品提供必要的创新元件。美格纳的模拟与数模混合半导体解决方案应用于发展潜力巨大的多种电子产品中。凭借更广泛的产品群和本土服务，美格纳提供的综合解决方案正渗入全球市场和各个行业。美格纳在韩国建立了研发中心，并在亚洲地区发展成为全球电子产品供应网络的中心地。

SJ MOSFETs

500V 600V 650V 700V 800V 900V

HV MOSFETs

200V 250V 400V 500V 600V 650V

MXT MOSFETs

12V 20V 24V 30V 40V 60V 80V 100V 135V 150V 200V

Discrete IGBTs

650V 1200V

IGBT Chip for Standard Module

1200V

Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家无晶圆半导体公司，由剑桥大学的 Florin Udrea 教授和 Giorgia Longobardi 博士于2016年自剑桥大学分拆后成为独立公司，致力于开发功率器件的革命性技术。CGD 的使命是通过提供最高效、最可靠的产品来塑造电力电子的未来。CGD 的设计、开发和商业化，实现了 GaN 器件和 IC 在能源效率和紧凑性上的根本性转变，适用于大批量生产。CGD 技术受到强大的知识产权组合的保护，领先的创新技能和雄心推动着 CGD 不断的进步。

1,业界首创、易于使用的增强模式 GaN

集成电路增强模式 GaN：具有最先进静态和动态性能的新型平台，可增加内部栅极端子的易用性和智能温度控制，从而提高栅极可靠性。与其他现有 GaN 器件不同，智能 ICeGaN® 晶体管可与标准硅栅极驱动器搭配工作，且无需负电压关断，因此不必配置外部、昂贵的驱动和钳位接口。最后，GaN 功率晶体管的工作方式与 MOSFET 大致相同。

CGD ICeGaN®: Gallium Nitride Semiconductors | Cambridge GaN Devices

2,选型A， H1&H2 系列

ICeGaN® 产品系列
H1 和 H2 系列主要特性
单芯片 e-Mode GaN HEMT
ICeGaN® 栅极技术
集成米勒钳位
电流检测功能
（H2 系列）创新的全集成 NL3 * 电路
底端冷却 DFN 封装
主要优势
超快速开关频率
高效率
兼容 Si/SiC MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器
宽栅极驱动电压 (9-20 V)
对 dv/dt 引起的直通事件具有抗扰性
真正的 0 V 关断实现简单的栅极驱动
出色的栅极稳健性
（H2 系列）无负载和轻负载运行下的功耗创新低
应用
消费类和低功耗工业应用

Cambridge GaN Devices | 650 V ICeGaN® 系列：GaN HEMT 功率半导体

3,选型B P2系列

主要特性
单芯片 e-Mode GaN HEMT
ICeGaN® 栅极技术
集成米勒钳位
提供底端冷却和双面冷却的热增强型封装
可湿焊盘便于进行自动光学检测
主要优势
高效率
兼容 Si MOSFET、SiC 和 IGBT 栅极驱动器
宽栅极驱动电压 (9-20 V)
对 dv/dt 引起的直通事件具有抗扰性
真正的 0 V 关断功能实现简单的栅极驱动
出色的栅极稳健性
在高功率应用中优化散热效果
快速导通时间实现高工作频率
轻松并联
应用
数据中心和电信 SMPS、工业电机驱动器、光伏逆变器、不间断电源、储能系统